类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：STripFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8 毫欧 @ 40A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：80A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：100nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4350pF @ 25V
功率 - 最大：300W
安装类型：通孔
封装/外壳：I²Pak, TO-262 (3 直引线 + 接片)
包装：管件
供应商设备封装：*
STB80NF55L-08-1
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB80NF03L-04-1 | ST (意法半导体) | MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK | 立即购买 |
| STB80NF03L-04T4 | ST (意法半导体) | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 立即购买 |
| STB80NF03L-04T4 | ST (意法半导体) | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 立即购买 |
| STB80NF03L-04T4 | ST (意法半导体) | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 立即购买 |
| STB80N4F6AG | ST (意法半导体) | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | 立即购买 |
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