制造商:Vishay
RoHS:否
配置:SingleQuadDrainTripleSource
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:30V
闸/源击穿电压:+/-20V
漏极连续电流:5.3A
功率耗散:1350mW
最大工作温度:+150C
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOIC-8Narrow
最小工作温度:-55C
StandardPackQty:100
SI4431ADY
概述
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI4434ADY-T1-GE3 | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CHAN 250V SO-8 | 立即购买 |
SI4434ADY-T1-GE3 | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CHAN 250V SO-8 | 立即购买 |
SI4434ADY-T1-GE3 | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CHAN 250V SO-8 | 立即购买 |
SI4435DY | ON (安森美) | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC | 立即购买 |
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