制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-220AB
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极击穿电压: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.7 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
集电极最大连续电流 Ic: 20 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA
功率耗散: 80 W
封装: Tube
配置: Single
安装风格: Through Hole
STGP10NB60S
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STGP19NC60S | ST (意法半导体) | IGBT 600V 40A 130W TO220 | 立即购买 |
| STGP19NC60W | ST (意法半导体) | IGBT 600V 40A 130W TO220 | 立即购买 |
| STGP19NC60H | ST (意法半导体) | IGBT 600V 40A 130W TO220 | 立即购买 |
| STGP10NB60SD | ST (意法半导体) | IGBT 600V 29A 80W TO220 | 立即购买 |
| STGP100N30 | ST (意法半导体) | IGBT 330V 90A 250W TO220 | 立即购买 |
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