类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：STripFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：14 毫欧 @ 30A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：60A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：70nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4150pF @ 25V
功率 - 最大：150W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：*
STP60NE06L-16
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STP60NF06 | ST (意法半导体) | MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 | 立即购买 |
| STP60NF06L | ST (意法半导体) | MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 | 立即购买 |
| STP60NF06FP | ST (意法半导体) | MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP | 立即购买 |
| STP60N55F3 | ST (意法半导体) | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | 立即购买 |
| STP60NH2LL | ST (意法半导体) | MOSFET N-CH 24V 40A TO-220 | 立即购买 |
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