制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: D2PAK
集电极—发射极最大电压 VCEO: 20 V
集电极—射极击穿电压: 28 V
集电极—射极饱和电压: 2 V
栅极/发射极最大电压: 12 V
集电极最大连续电流 Ic: 40 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 660 uA
功率耗散: 200 W
封装: Reel
配置: Single
STGB20NB41LZT4
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STGB20NB37LZT4 | ST (意法半导体) | IGBT 425V 40A 200W D2PAK | 立即购买 |
| STGB20NB37LZT4 | ST (意法半导体) | IGBT 425V 40A 200W D2PAK | 立即购买 |
| STGB20NB37LZT4 | ST (意法半导体) | IGBT 425V 40A 200W D2PAK | 立即购买 |
| STGB20NB41LZT4 | ST (意法半导体) | IGBT 442V 40A 200W D2PAK | 立即购买 |
| STGB20NB41LZT4 | ST (意法半导体) | IGBT 442V 40A 200W D2PAK | 立即购买 |
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