制造商：Vishay
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：DualDualDrain
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：30V
闸/源击穿电压：+/-25V
漏极连续电流：5.4A
功率耗散：1100mW
最大工作温度：+150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SOIC-8Narrow
封装：Reel
最小工作温度：-55C
StandardPackQty：2500
SI4971DY-T1-E3
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4972DY-T1-GE3 | SILICONIX (威世) | MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC | 立即购买 |
| SI4973DY-T1-GE3 | SILICONIX (威世) | MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC | 立即购买 |
| SI4972DY-T1-E3 | SILICONIX (威世) | MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC | 立即购买 |
| SI4972DY-T1-E3 | SILICONIX (威世) | MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC | 立即购买 |
| SI4972DY-T1-E3 | SILICONIX (威世) | MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC | 立即购买 |
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