类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：TrenchFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：70 毫欧 @ 3.7A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.9A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：450mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：8nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：-
功率 - 最大：1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-70-6，SC-88，SOT-363
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*
其它名称：SI1410EDH-T1-E3TR
SI1410EDH-T1-E3
概述
在线购买
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1416EDH-T1-GE3 | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363 | 立即购买 |
| SI1416EDH-T1-GE3 | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363 | 立即购买 |
| SI1416EDH-T1-GE3 | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363 | 立即购买 |
| SI1411DH-T1-GE3 | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 150V 420MA SC70 | 立即购买 |
| SI1411DH-T1-GE3 | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 150V 420MA SC70 | 立即购买 |
IC系列索引