类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：150 毫欧 @ 12A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：23nC @ 20V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：300pF @ 25V
功率 - 最大：53W
安装类型：通孔
封装/外壳：IPak, TO-251, DPak, VPak (3 直引线 + 接片)
包装：管件
供应商设备封装：*
RFD3055
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RFD3055LE | ON (安森美) | MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK | 立即购买 |
| RFD3055LESM9A | ON (安森美) | MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA | 立即购买 |
| RFD3055LESM9A | ON (安森美) | MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA | 立即购买 |
| RFD3055LESM9A | ON (安森美) | MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA | 立即购买 |
| RFD3055LESM9A | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |