制造商型号: | RFD3055LESM9A |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) RFD3055LESM9A
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RFD3055LESM9A 中文资料
数据手册PDF
RFD3055LESM9A 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 107 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 11.3 nC
耗散功率 38 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 39 ns
上升时间 105 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 RFD3055LESM9A_NL
单位重量 330 mg
库存: 23579
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 9.47713 | 9.48 |
10 | 8.230139 | 82.30 |
100 | 5.698748 | 569.87 |
500 | 4.76151 | 2380.76 |
1000 | 4.052471 | 4052.47 |
品牌其他型号
RFD3055LESM9A品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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