源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60
最大漏极电流Id(on)(A):4.200
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150
描述:-20 V, -4.2 A功率MOSFET
NTJS4151PT1G
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTJS4405NT1G | ON (安森美) | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 | 立即购买 |
| NTJS4405NT1G | ON (安森美) | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 | 立即购买 |
| NTJS4405NT1G | ON (安森美) | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 | 立即购买 |
| NTJS4151PT1 | ON (安森美) | MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363 | 立即购买 |
| NTJS4151PT1G | ON (安森美) | MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88 | 立即购买 |