源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90
最大漏极电流Id(on)(A):3.250
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):Micro8/-55 ~150
描述:-2.4 A, -20 V 双功率MOSFET
NTTS2P02R2G
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTTS2P02R2 | ON (安森美) | MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO | 立即购买 |
| NTTS2P03R2 | ON (安森美) | MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO | 立即购买 |
| NTTS2P02R2G | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET | 立即购买 |
| NTTS2P02R2G | ON (安森美) | MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO | 立即购买 |
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