源漏极间雪崩电压VBR(V):8
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):55
最大漏极电流Id(on)(A):3.300
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):TSOP6/-55~150
描述:8V，3.3A P沟道MOSFET
NTGD1100LT1G
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| NTGD1100LT1G | ON (安森美) | IC PWR DRIVER P-CHAN 1:1 6TSOP | 立即购买 |
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| NTGD1100LT1G | ON (安森美) | IC PWR DRIVER P-CHAN 1:1 6TSOP | 立即购买 |
| NTGD1100LT1 | ON (安森美) | IC PWR DRIVER P-CHAN 1:1 6TSOP | 立即购买 |