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NTP27N06

概述
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):46
最大漏极电流Id(on)(A):27
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220AB/-55~175
描述:30A,200V功率MOSFET
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IC系列索引
NCP693HMN08TCG NCP694D12HT1G NZQA6V8AXV5T1 N08L63W2AB7I
NTS2101PT1G NDB6030PL NTA7002NT1G NBX-10910
NCP694DSAN33T1G NCP694D08HT1G NMH0505SC N08DPB271K
NCP694DSANADJT1G NCP694H10HT1G NLV17SZU04DFT2 NB20N50104JBA
NC7ST32L6X N08DPB6R8M N4 NCP1215SNT1