制造商：ONSemiconductor
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：否
配置：DualDualDrain
晶体管极性：N-Channel
电阻汲极/源极RDS（导通）：0.031Ohms
汲极/源极击穿电压：20V
闸/源击穿电压：+/-12V
漏极连续电流：6A
功率耗散：1.5W
最大工作温度：+150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：Micro-8
封装：Reel
最小工作温度：-55C
StandardPackQty：3000
NTLTD7900ZR2
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTLTD7900ZR2G | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| NTLTD7900ZR2 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| NTLTD7900ZR2G | ON (安森美) | MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO | 立即购买 |
| NTLTD7900ZR2G | ON (安森美) | MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO | 立即购买 |