源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):82
最大漏极电流Id(on)(A):27.500
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):D2PAK/-55 ~150
描述:-60 V, -27.5 A功率MOSFET
NTB25P06G
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
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| NTB25P06T4 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
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