源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80
最大漏极电流Id(on)(A):3.900
通道极性:N/P沟道
封装/温度(℃):ChipFET /-55~150
描述:20 V, +3.9 A/-4.4 A功率MOSFET
NTHD3100CT1G
概述
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| NTHD3101FT1G | ON (安森美) | MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET | 立即购买 |
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| NTHD3100CT1G | ON (安森美) | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET | 立即购买 |
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