制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-263-3
集电极—发射极最大电压 VCEO: 430 V
集电极—射极击穿电压: 395 V
集电极—射极饱和电压: 40 V
栅极/发射极最大电压: 18 V
集电极最大连续电流 Ic: 18 A
栅极—射极漏泄电流: 115 W
功率耗散: 115 W
封装: Reel
配置: Single
NGB8204NT4
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NGB8202ANT4G | LITTELFUSE (力特) | IGBT 440V 20A 150W D2PAK | 立即购买 |
| NGB8206ANT4G | LITTELFUSE (力特) | IGBT 390V 20A 150W D2PAK3 | 立即购买 |
| NGB8202ANTF4G | LITTELFUSE (力特) | IGBT 440V 20A 150W D2PAK | 立即购买 |
| NGB8202NT4 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | IGBT, 20A, 440V, N-CHANNEL | 立即购买 |
| NGB8206NG | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | IGBT, 20A, 390V, N-CHANNEL | 立即购买 |