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NSS20201MR6T1G

概述
类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):20V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 100mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大):100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 1A, 5V
功率 - 最大:460mW
频率 - 转换:200MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-74-6
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:6-TSOP
其它名称:NSS20201MR6T1G-NDNSS20201MR6T1GOSTR
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型号 制造商 描述 购买
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