源漏极间雪崩电压VBR(V):-20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):148@-10V
最大漏极电流Id(on)(A):-1
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-23/-55~150
描述:12A,60V逻辑电平的功率MOSFET
NTR1P02T1
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTR1P02LT3G | ON (安森美) | MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 | 立即购买 |
| NTR1P02LT3G | ON (安森美) | MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 | 立即购买 |
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| NTR1P02LT1G | ON (安森美) | MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23 | 立即购买 |
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