源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):150
最大漏极电流Id(on)(A):12
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):DPAK/-55~150
描述:-0.4A,-20V功率MOSFET
NTD2955
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTD2955-1G | ON (安森美) | MOSFET P-CH 60V 12A IPAK | 立即购买 |
| NTD2955T4G | ON (安森美) | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | 立即购买 |
| NTD2955T4G | ON (安森美) | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | 立即购买 |
| NTD2955T4G | ON (安森美) | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | 立即购买 |
| NTD2955G | ON (安森美) | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | 立即购买 |