源漏极间雪崩电压VBR(V):25
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8.400
最大漏极电流Id(on)(A):65
通道极性:N
封装/温度(℃):DPAK-4/-55~175
描述:25V,65A,N沟道MOSFET
NTD65N03RG
概述
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