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NTB22N06L

概述
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):75
最大漏极电流Id(on)(A):22
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):D2PAK/-55~175
描述:15A,60V功率MOSFET