源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):104
最大漏极电流Id(on)(A):12
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK/-55~175
描述:12A,60V功率MOSFET
NTD3055L104G
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| NTD3055L104T4G | ON (安森美) | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | 立即购买 |
| NTD3055L104T4G | ON (安森美) | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | 立即购买 |
| NTD3055L104T4G | ON (安森美) | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | 立即购买 |
| NTD3055L170T4G | ON (安森美) | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK | 立即购买 |
| NTD3055L170T4G | ON (安森美) | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK | 立即购买 |