源漏极间雪崩电压VBR(V):24
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10.500
最大漏极电流Id(on)(A):65
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):D2PAK/-55 ~150
描述:24V, 65 A功率MOSFET
NTB65N02RT4G
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTB65N02RT4G | ON (安森美) | MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK | 立即购买 |
| NTB65N02RT4G | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| NTB65N02R | ON (安森美) | MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK | 立即购买 |
| NTB65N02RG | ON (安森美) | MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK | 立即购买 |
| NTB65N02RT4 | ON (安森美) | MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK | 立即购买 |