类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2 毫欧 @ 30A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：16A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：58nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：5600pF @ 12V
功率 - 最大：910mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：5-DFN, SO8 FL
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：SO-8
其它名称：NTMFS4833NT1G-NDNTMFS4833NT1GOSTR
NTMFS4833NT1G
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTMFS4837NHT1G | ON (安森美) | MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL | 立即购买 |
| NTMFS4837NHT1G | ON (安森美) | MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL | 立即购买 |
| NTMFS4837NHT1G | ON (安森美) | MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL | 立即购买 |
| NTMFS5C468NLT1G | ON (安森美) | MOSFET N-CH 40V SO8FL | 立即购买 |
| NTMFS4C35NT1G | ON (安森美) | MOSFET N-CH 30V 80A SO8FL | 立即购买 |