类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs - 阵列
系列：-
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：22 毫欧 @ 7A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.2A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：17nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：630pF @ 16V
功率 - 最大：1.39W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-TSSOP
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：8-TSSOP
其它名称：NTQD6968NR2GOS
NTQD6968NR2G
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTQD6968N | ON (安森美) | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP | 立即购买 |
| NTQD6968NR2 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| NTQD6866R2 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 立即购买 |
| NTQD6968N | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| NTQD6866R2G | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 立即购买 |