锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

CSD88599Q5DC

CSD88599Q5DC

TI(德州仪器) 电子元器件分类

采用 SON 5mm x 6mm DualCool 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率块 MOSFET 22-VSON-CLIP -55 to 150

The 60-V power block is an optimized design for high-current motor control applications, such as handheld, cordless garden and power tools. This device utilizes ’s stacked die technology in order to minimize parasitic inductances while offering a complete half bridge in a space saving thermally enhanced DualCool™ 5-mm × 6-mm package. With an exposed metal top, this power block device allows for simple heat sink application to draw heat out through the top of the package and away from the PCB, for superior thermal performance at the higher currents demanded by many motor control applications.

CSD88599Q5DC中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 12 W

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 4840pF @30VVds

额定功率Max 12 W

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 12000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 22

封装 22-VSON-CLIP

外形尺寸

封装 22-VSON-CLIP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准

CSD88599Q5DC引脚图与封装图
暂无图片
在线购买CSD88599Q5DC
型号 制造商 描述 购买
CSD88599Q5DC TI 德州仪器 采用 SON 5mm x 6mm DualCool 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率块 MOSFET 22-VSON-CLIP -55 to 150 搜索库存
替代型号CSD88599Q5DC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD88599Q5DC

品牌: TI 德州仪器

封装:

当前型号

采用 SON 5mm x 6mm DualCool 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率块 MOSFET 22-VSON-CLIP -55 to 150

当前型号

型号: CSD88599Q5DCT

品牌: 德州仪器

封装:

完全替代

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 60 V, 0.0017 ohm, 10 V, 2 V

CSD88599Q5DC和CSD88599Q5DCT的区别