BC850BLT1G、BC850CLT1G、BC847B-7-F对比区别

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型号 BC850BLT1G BC850CLT1G BC847B-7-F

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC850BLT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFEON SEMICONDUCTOR  BC850CLT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 800 hFEBC847B 系列 NPN 45 V 300 mW 小信号 晶体管 表面贴装 -SOT-23-3

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 100 MHz 300 MHz

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 225 mW 225 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 200 420 330

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 225 mW 300 mW 350 mW

增益频宽积 100 MHz - -

长度 3.04 mm 2.9 mm -

宽度 1.4 mm 1.3 mm -

高度 1.11 mm 0.94 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

军工级 - - Yes

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99