锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BC850BLT1G

BC850BLT1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  BC850BLT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE

小信号 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
ON Semiconductor BC850BLT1G , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:200, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装


得捷:
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3


立创商城:
BC850BLT1G


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE


艾睿:
Design various electronic circuits with this versatile NPN BC850BLT1G GP BJT from ON Semiconductor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 45 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
ON Semi BC850BLT1G NPN Bipolar Transistor, 0.1 A, 45 V, 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 225mW; SOT23


Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BC850BLT1G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-23


Win Source:
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23


BC850BLT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 45.0 V

额定电流 100 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 225 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.11 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BC850BLT1G引脚图与封装图
BC850BLT1G引脚图

BC850BLT1G引脚图

BC850BLT1G封装焊盘图

BC850BLT1G封装焊盘图

在线购买BC850BLT1G
型号 制造商 描述 购买
BC850BLT1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  BC850BLT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE 搜索库存
替代型号BC850BLT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC850BLT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  BC850BLT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE

当前型号

型号: BC850BLT1

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 45V 100mA

完全替代

通用晶体管( NPN硅) General Purpose TransistorsNPN Silicon

BC850BLT1G和BC850BLT1的区别

型号: BC847BLT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BC847BLT1G.  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 450 hFE

BC850BLT1G和BC847BLT1G的区别

型号: BC850CLT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BC850CLT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 800 hFE

BC850BLT1G和BC850CLT1G的区别