FDS4488、TPS1100D、STS11NF30L对比区别

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型号 FDS4488 TPS1100D STS11NF30L

描述 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V -15.0 V 30.0 V

额定电流 7.90 A -1.60 A 11.0 A

输出电压 - -15.0 V -

漏源极电阻 22.0 mΩ 0.18 Ω 0.0085 Ω

极性 N-Channel P-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 791 mW 2.5 W

漏源极电压(Vds) 30 V 15 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 7.90 A -1.60 A 11.0 A

上升时间 7.5 ns 10 ns 39 ns

额定功率(Max) 1 W 791 mW 2.5 W

下降时间 5 ns 2 ns 16 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 85 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 791mW (Ta) 2500 mW

输入电容 927 pF - -

栅电荷 9.50 nC - -

漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V

栅源击穿电压 ±25.0 V - ±18.0 V

输入电容(Ciss) 927pF @15V(Vds) - 1440pF @25V(Vds)

额定功率 - - 2.5 W

阈值电压 - - 1 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.25 mm

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

香港进出口证 - NLR -

ECCN代码 EAR99 - -