FDS4488
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS4488中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 7.90 A
漏源极电阻 22.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
输入电容 927 pF
栅电荷 9.50 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 7.90 A
上升时间 7.5 ns
输入电容Ciss 927pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS4488引脚图与封装图
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在线购买FDS4488
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS4488 | Fairchild 飞兆/仙童 | 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDS4488
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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| 型号： TPS1100DR 品牌： 德州仪器 封装： SOIC P-Channel -15V 1.6A | 功能相似 | 单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS | FDS4488和TPS1100DR的区别 |