TLE2161ID、TLE2161IDRG4、TLE2161IDG4对比区别

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型号 TLE2161ID TLE2161IDRG4 TLE2161IDG4

描述 神剑JFET输入高输出驱动MPOWER运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS运算放大器 - 运放 JFET-Inp Hi-Out-Drv Lo-Pwr DecompensatedJFET 输入（高输出驱动）低功耗解补偿运算放大器 8-SOIC

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 290 µA 290 µA 290 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比 72dB ~ 90dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 6.00 µV/K 6.00 µV/K 6.00 µV/K

带宽 5.80 MHz 5.80 MHz 5.80 MHz

转换速率 10.0 V/μs 10.0 V/μs 10.0 V/μs

增益频宽积 5.8 MHz 6.4 MHz 6.4 MHz

输入补偿电压 600 µV 3.1 mV 600 µV

输入偏置电流 4 pA 4 pA 4 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃

输出电流 ≤80 mA - ≤80 mA

耗散功率(Max) 725 mW - 725 mW

共模抑制比(Min) 65 dB - 65 dB

电源电压(Max) 36 V - 36 V

电源电压(Min) 7 V - 7 V

增益带宽 6.4 MHz - -

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.91 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free