输出电流 ≤80 mA
供电电流 290 µA
电路数 1
通道数 1
耗散功率 725 mW
共模抑制比 65 dB
输入补偿漂移 6.00 µV/K
带宽 5.80 MHz
转换速率 10.0 V/μs
增益频宽积 6.4 MHz
输入补偿电压 600 µV
输入偏置电流 4 pA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 725 mW
共模抑制比Min 65 dB
电源电压Max 36 V
电源电压Min 7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TLE2161IDG4引脚图
TLE2161IDG4封装图
TLE2161IDG4封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TLE2161IDG4 | TI 德州仪器 | JFET 输入（高输出驱动）低功耗解补偿运算放大器 8-SOIC | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TLE2161IDG4 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC 6.4MHz 1Channel 8Pin | 当前型号 | JFET 输入（高输出驱动）低功耗解补偿运算放大器 8-SOIC | 当前型号 |
| 型号： TLE2161ID 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 6.4MHz 1Channel 8Pin | 类似代替 | 神剑JFET输入高输出驱动MPOWER运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS | TLE2161IDG4和TLE2161ID的区别 |
| 型号： TLE2161IDRG4 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 8Pin 10V/us 1Channel | 类似代替 | 运算放大器 - 运放 JFET-Inp Hi-Out-Drv Lo-Pwr Decompensated | TLE2161IDG4和TLE2161IDRG4的区别 |
| 型号： TLE2161IDR 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 8Pin 10V/us 1Channel | 类似代替 | JFET 输入（高输出驱动）低功耗解补偿运算放大器 8-SOIC | TLE2161IDG4和TLE2161IDR的区别 |
