供电电流 290 µA
电路数 1
通道数 1
耗散功率 725 mW
共模抑制比 65 dB
输入补偿漂移 6.00 µV/K
带宽 5.80 MHz
转换速率 10.0 V/μs
增益频宽积 6.4 MHz
输入补偿电压 3.1 mV
输入偏置电流 4 pA
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TLE2161IDRG4引脚图
TLE2161IDRG4封装图
TLE2161IDRG4封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TLE2161IDRG4 | TI 德州仪器 | 运算放大器 - 运放 JFET-Inp Hi-Out-Drv Lo-Pwr Decompensated | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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