FDW262P、TPS1100DR、TPS1100D对比区别

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型号 FDW262P TPS1100DR TPS1100D

描述 20V P沟道PowerTrench MOSFET 20V P-Channel PowerTrench MOSFET单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 TSSOP-8 SOIC-8 SOIC-8

通道数 - 1 -

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.3 W 0.791 W 791 mW

漏源极电压(Vds) 20 V 15 V 15 V

连续漏极电流(Ids) 4.50 A 1.6A -1.60 A

上升时间 9 ns 10 ns 10 ns

额定功率(Max) 600 mW 791 mW 791 mW

下降时间 9 ns 2 ns 2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 791mW (Ta) 791mW (Ta)

额定电压(DC) -20.0 V - -15.0 V

额定电流 -4.50 A - -1.60 A

漏源极电阻 47.0 mΩ - 0.18 Ω

栅源击穿电压 ±8.00 V - -

输入电容(Ciss) 1193pF @10V(Vds) - -

输出电压 - - -15.0 V

长度 4.4 mm 4.9 mm -

宽度 3 mm 3.91 mm -

高度 1 mm 1.75 mm -

封装 TSSOP-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2013/06/20 - 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 - - NLR