FDW262P
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDW262P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -4.50 A
漏源极电阻 47.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.3 W
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 1193pF @10VVds
额定功率Max 600 mW
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.3W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSSOP-8
外形尺寸
长度 4.4 mm
宽度 3 mm
高度 1 mm
封装 TSSOP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2013/06/20
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDW262P引脚图与封装图
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在线购买FDW262P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDW262P | Fairchild 飞兆/仙童 | 20V P沟道PowerTrench MOSFET 20V P-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDW262P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDW262P 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TSSOP P-Channel 20V 4.5A 47mohms | 当前型号 | 20V P沟道PowerTrench MOSFET 20V P-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： TPS1100D 品牌： 德州仪器 封装： SOIC P-Channel -15V -1.6A 180mohms | 功能相似 | 单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS | FDW262P和TPS1100D的区别 |
| 型号： TPS1100DR 品牌： 德州仪器 封装： SOIC P-Channel -15V 1.6A | 功能相似 | 单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS | FDW262P和TPS1100DR的区别 |
| 型号： SI4403CDY-T1-GE3 品牌： Vishay Intertechnology 封装： | 功能相似 | Small Signal Field-Effect Transistor, 13.4A ID, 20V, 1Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8 | FDW262P和SI4403CDY-T1-GE3的区别 |