MMDF2P02HDR2G、SI4943BDY-T1-E3、MMDF2P02HDR2对比区别

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型号 MMDF2P02HDR2G SI4943BDY-T1-E3 MMDF2P02HDR2

描述 2A,-20V,P沟道功率双MOSFET双P通道20 - V（D -S）的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET功率MOSFET 2安培， 20伏P沟道SO- 8 ，双 Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts P−Channel SO−8, Dual

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) VISHAY (威世) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -20.0 V - -20.0 V

额定电流 -2.00 A - -2.00 A

漏源极电阻 160 mΩ 19 mΩ 160 mΩ

极性 Dual P-Channel Dual P-Channel P-Channel

耗散功率 2 W 2 W 2.00 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 20.0 V - 20.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.30 A -8.40 A 3.30 A

输入电容(Ciss) 588pF @16V(Vds) - 588pF @16V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 1.1 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2 W 2000 mW -

上升时间 - 10 ns -

反向恢复时间 - 55 ns -

正向电压(Max) - 1.2 V -

下降时间 - 60 ns -

工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

最小包装 - 2500 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - EAR99