FQP55N06、STP55NF06、SPA04N80C3对比区别

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型号 FQP55N06 STP55NF06 SPA04N80C3

描述 60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFETMOSFET 晶体管，STMicroelectronicsINFINEON  SPA04N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 800 V

额定电流 55.0 A 50.0 A 4.00 A

漏源极电阻 20.0 mΩ 0.015 Ω 1.1 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 133W (Tc) 30 W 38 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 800 V

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V -

栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 55.0 A 50.0 A 4.00 A

输入电容(Ciss) 1690pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 133 W 110 W 38 W

耗散功率(Max) 133W (Tc) 110W (Tc) 38W (Tc)

额定功率 - 110 W 38 W

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 3 V 3 V

上升时间 - 50 ns 15 ns

下降时间 - 15 ns 12 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

通道数 - 1 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm 10.65 mm

宽度 - 4.6 mm 4.85 mm

高度 - 9.15 mm 16.15 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99