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SPA04N80C3

SPA04N80C3

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  SPA04N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

### MOSFET ，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 800V 4A


欧时:
### Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


贸泽:
MOSFET N-Ch 800V 4A TO220FP-3 CoolMOS C3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin TO-220FP Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin3+Tab TO-220FP


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 38W; PG-TO220-3-FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


儒卓力:
**N-CH 800V 4A 1300mOhm TO220FP **


力源芯城:
800V,4A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP


SPA04N80C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 4.00 A

额定功率 38 W

针脚数 3

漏源极电阻 1.1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 38 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 570pF @100VVds

额定功率Max 38 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 38W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

SPA04N80C3引脚图与封装图
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在线购买SPA04N80C3
型号 制造商 描述 购买
SPA04N80C3 Infineon 英飞凌 INFINEON  SPA04N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号SPA04N80C3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SPA04N80C3

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-220 N-Channel 800V 4A

当前型号

INFINEON  SPA04N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： SPP11N80C3

品牌： 英飞凌

封装： TO-220AB N-Channel 800V 11A

类似代替

INFINEON  SPP11N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V

SPA04N80C3和SPP11N80C3的区别

型号： SPP08N80C3

品牌： 英飞凌

封装： TO-220AB N-Channel 800V 8A

类似代替

INFINEON  SPP08N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V

SPA04N80C3和SPP08N80C3的区别

型号： SPW11N80C3

品牌： 英飞凌

封装： TO-247 N-Channel 800V 11A

类似代替

INFINEON  SPW11N80C3  功率场效应管, MOSFET, 通用, N沟道, 6 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V

SPA04N80C3和SPW11N80C3的区别