FQP55N06
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQP55N06中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 55.0 A
漏源极电阻 20.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 133W Tc
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 55.0 A
输入电容Ciss 1690pF @25VVds
额定功率Max 133 W
耗散功率Max 133W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQP55N06引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQP55N06
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQP55N06 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 60V 55A 20mohms | 当前型号 | 60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP55NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQP55N06和STP55NF06的区别 |
| 型号： STD18N55M5 品牌： 意法半导体 封装： DPAK N-Channel 550V 16A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V | FQP55N06和STD18N55M5的区别 |
| 型号： STP120NF10 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 100V 110A 10.5mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V | FQP55N06和STP120NF10的区别 |