锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
STP55NF06

STP55NF06

数据手册.pdf

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ，STMicroelectronics


立创商城:
N沟道 60V 50A


得捷:
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB


欧时:
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP55NF06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Jameco:
Transistor MOSFET N Channel 60 Volt 50 Amp 3 Pin 3+ Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
STP55NF06 系列 N沟道 60 V 18 mOhm STripFET™ II 功率 MosFet - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP55NF06  MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 60 V, 0.015 ohm, 10 V, 3 V


力源芯城:
60V,50A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220


STP55NF06中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 50.0 A

额定功率 110 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.015 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 30 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 1300pF @25VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, Computers & Computer Peripherals, 通信与网络, Industrial, Communications & Networking, 计算机和计算机周边

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STP55NF06引脚图与封装图
STP55NF06引脚图

STP55NF06引脚图

STP55NF06封装图

STP55NF06封装图

STP55NF06封装焊盘图

STP55NF06封装焊盘图

在线购买STP55NF06
型号 制造商 描述 购买
STP55NF06 ST Microelectronics 意法半导体 MOSFET 晶体管，STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STP55NF06
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STP55NF06

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ

当前型号

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

当前型号

型号： STP16NF06L

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 60V 16A 70mΩ

类似代替

STMICROELECTRONICS  STP16NF06L..  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 16A, TO-220

STP55NF06和STP16NF06L的区别

型号： STP60NF06

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 60V 60A 16mΩ

类似代替

STMICROELECTRONICS  STP60NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V

STP55NF06和STP60NF06的区别

型号： STB55NF06T4

品牌： 意法半导体

封装： TO-263 N-Channel 60V 50A 18mohms

类似代替

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STP55NF06和STB55NF06T4的区别