TL081IDR、TL081IDRG4、TL081CD对比区别
型号 TL081IDR TL081IDRG4 TL081CD
描述 TEXAS INSTRUMENTS TL081IDR 运算放大器, 单路, 3 MHz, 1个放大器, 13 V/µs, 7V 至 36V, SOIC, 8 引脚JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃TEXAS INSTRUMENTS TL081CD 运算放大器, 单路, 3 MHz, 1个放大器, 13 V/µs, 7V 至 36V, SOIC, 8 引脚
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
电源电压(DC) 18.0 V - 15.0 V
供电电流 1.4 mA 1.4 mA 1.4 mA
电路数 1 1 1
通道数 1 1 1
针脚数 8 - 8
耗散功率 0.68 W 0.68 W 0.68 W
共模抑制比 75 dB 75 dB 70 dB
输入补偿漂移 18.0 µV/K 18.0 µV/K 18.0 µV/K
带宽 3 MHz 3.00 MHz 3 MHz
转换速率 13.0 V/μs 13.0 V/μs 13.0 V/μs
增益频宽积 3 MHz 3 MHz 3 MHz
输入补偿电压 3 mV 6 mV 3 mV
输入偏置电流 30 pA 0.2 nA 30 pA
工作温度(Max) 85 ℃ - 70 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ - 0 ℃
增益带宽 3 MHz - 3 MHz
耗散功率(Max) 680 mW - 680 mW
共模抑制比(Min) 75 dB - 70 dB
电源电压 7V ~ 36V - 7V ~ 36V
电源电压(Max) 36 V 36 V 36 V
电源电压(Min) 7 V 7 V -
长度 4.9 mm - -
宽度 3.91 mm - -
高度 1.58 mm - -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2014/12/17