TL081IDRG4
TI
德州仪器
电子元器件分类
TL081IDRG4中文资料参数规格
技术参数
供电电流 1.4 mA
电路数 1
通道数 1
耗散功率 0.68 W
共模抑制比 75 dB
输入补偿漂移 18.0 µV/K
带宽 3.00 MHz
转换速率 13.0 V/μs
增益频宽积 3 MHz
输入补偿电压 6 mV
输入偏置电流 0.2 nA
电源电压Max 36 V
电源电压Min 7 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TL081IDRG4引脚图与封装图 
TL081IDRG4引脚图
TL081IDRG4封装图
TL081IDRG4封装焊盘图
在线购买TL081IDRG4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TL081IDRG4 | TI 德州仪器 | JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃ | 搜索库存 |
替代型号TL081IDRG4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TL081IDRG4 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC 8Pin 13V/us 1Channel | 当前型号 | JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃ | 当前型号 |
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| 型号： TL081IDG4 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 8Pin 13V/us 1Channel | 类似代替 | 运算放大器 - 运放 JFET-Input Op Amp | TL081IDRG4和TL081IDG4的区别 |