MTB30P06VT4、MTB30P06VT4G、MTB30P06VG对比区别

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型号 MTB30P06VT4 MTB30P06VT4G MTB30P06VG

描述 功率MOSFET 30安培， 60伏P沟道D2PAK Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts P−Channel D2PAKP 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor功率MOSFET 30安培， 60伏P沟道D2PAK Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts P−Channel D2PAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -

额定电流 -30.0 A -30.0 A -

漏源极电阻 80.0 mΩ 80 mΩ -

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 3 W 3 W -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60 V -

栅源击穿电压 ±15.0 V ±15.0 V -

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A 30A

上升时间 25.9 ns 25.9 ns -

输入电容(Ciss) 2190pF @25V(Vds) 2190pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 3 W 3 W -

下降时间 52.4 ns 52.4 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3W (Ta), 125W (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) -

通道数 - 1 -

长度 10.29 mm 10.29 mm -

宽度 9.65 mm 9.65 mm -

高度 4.83 mm 4.83 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -