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MTB30P06VT4G

MTB30P06VT4G

数据手册.pdf

P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，

### MOSFET ，ON Semiconductor


得捷:
MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK


欧时:
### P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor


贸泽:
MOSFET PFET D2PAK 60V 30A 80mOhm


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Allied Electronics:
MTB30P06VT4G P-channel MOSFET Transistor, 30 A, 60 V, 3-Pin D2PAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


力源芯城:
30A,60V,D2PAK-4,P沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK


MTB30P06VT4G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -30.0 A

通道数 1

漏源极电阻 80 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 3 W

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

栅源击穿电压 ±15.0 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

上升时间 25.9 ns

输入电容Ciss 2190pF @25VVds

额定功率Max 3 W

下降时间 52.4 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta, 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MTB30P06VT4G引脚图与封装图
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在线购买MTB30P06VT4G
型号 制造商 描述 购买
MTB30P06VT4G ON Semiconductor 安森美 P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor 搜索库存
替代型号MTB30P06VT4G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MTB30P06VT4G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： TO-263-3 P-Channel 60V 30A 80mohms

当前型号

P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

当前型号

型号： MTB30P06VT4

品牌： 安森美

封装： TO-263-3 P-Channel 60V 30A 80mohms

类似代替

功率MOSFET 30安培， 60伏P沟道D2PAK Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts P−Channel D2PAK

MTB30P06VT4G和MTB30P06VT4的区别

型号： SPD30P06PG

品牌： 英飞凌

封装： TO-252-3 P-Channel

类似代替

60V,-30A,P沟道功率MOSFET

MTB30P06VT4G和SPD30P06PG的区别

型号： MTBV30P06VT4G

品牌： 安森美

封装： D2PAK P-CH 60V 30A

类似代替

D2PAK P-CH 60V 30A

MTB30P06VT4G和MTBV30P06VT4G的区别