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PDTC124EK,115、SMUN2212T1G、NSVMUN2212T1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PDTC124EK,115 SMUN2212T1G NSVMUN2212T1G

描述 双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7SC-59 NPN 50V 100mA数字晶体管( BRT ) R1 = 22千欧, R2 = 22 K· Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 22 k

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SC-59-3

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 0.338 W 0.338 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 60 @5mA, 5V 60 @5mA, 10V 60 @5mA, 10V

额定功率(Max) 250 mW 230 mW 230 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 338 mW 338 mW

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SC-59-3

长度 3.1 mm - -

宽度 1.7 mm - -

高度 1.2 mm - -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99