PDTC124EK,115

NXP(恩智浦) 分立器件

双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7

- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 50 V 100 mA 250 mW 表面贴装型 SMT3; MPAK

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7

PDTC124EK,115中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.7 mm

高度 1.2 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PDTC124EK,115引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
PDTC124EK,115	NXP 恩智浦	双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7	搜索库存

替代型号PDTC124EK,115

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： PDTC124EK,115 品牌： NXP 恩智浦封装： MPAK NPN	当前型号	双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7	当前型号
型号： PDTC124EK 品牌：恩智浦封装：	类似代替	PDTC124EK 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 22k 22k 增益60 SOT-23/SC-59A marking/标记 6	PDTC124EK,115和PDTC124EK的区别
型号： SMUN2212T1G 品牌：安森美封装： SC-59 NPN 338mW	功能相似	SC-59 NPN 50V 100mA	PDTC124EK,115和SMUN2212T1G的区别
型号： NSVMUN2212T1G 品牌：安森美封装： SC-59-3 NPN 338mW	功能相似	数字晶体管（ BRT ） R1 = 22千欧， R2 = 22 K· Digital Transistors BRT R1 = 22 k, R2 = 22 k	PDTC124EK,115和NSVMUN2212T1G的区别