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SMUN2212T1G

SMUN2212T1G

数据手册.pdf

SC-59 NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59


立创商城:
SMUN2212T1G


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59 T/R


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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R


SMUN2212T1G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

极性 NPN

耗散功率 0.338 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V

额定功率Max 230 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 338 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SMUN2212T1G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SMUN2212T1G ON Semiconductor 安森美 SC-59 NPN 50V 100mA 搜索库存
替代型号SMUN2212T1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMUN2212T1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SC-59 NPN 338mW

当前型号

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