PZT3906T1、PZT3906T1G对比区别

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型号 PZT3906T1 PZT3906T1G

描述 通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistor PNP Silicon通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistor PNP Silicon

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-261-4 TO-261-4

引脚数 4 -

额定电压(DC) -40.0 V -40.0 V

额定电流 -200 mA -200 mA

极性 PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V

额定功率(Max) 1.5 W 1.5 W

耗散功率 1.5 W -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1500 mW -

封装 TO-261-4 TO-261-4

长度 6.5 mm -

宽度 3.5 mm -

高度 1.57 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon -

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free