PZT3906T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -200 mA
极性 PNP
耗散功率 1.5 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.57 mm
封装 TO-261-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
PZT3906T1引脚图与封装图
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在线购买PZT3906T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PZT3906T1 | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistor PNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号PZT3906T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PZT3906T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-223 PNP -40V -200mA | 当前型号 | 通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistor PNP Silicon | 当前型号 |
| 型号： PZT3906T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-223 PNP -40V -200mA | 完全替代 | 通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistor PNP Silicon | PZT3906T1和PZT3906T1G的区别 |